[发明专利]半导体器件制造方法和系统、及其所用的库和记录介质无效
| 申请号： | 200610153639.9 | 申请日： | 2006-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN1932651A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 神代昌彦;谷本正 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临;王志森 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件制造方法，用于可能高速地以高精度形成图案，通过在OPC处理步骤中将布局数据分割成单元、并且接着将OPC应用于每个单元，可以通过一个单元一次处理完成相同的块，并且在芯片上排列了各个应用了OPC的单元之后，将OPC仅仅应用于单元边界部分，从而可以确保单元边界附近的尺寸精度。而且，由于使得在单元边界部分上的图案被均匀地缩小，因此可以简化单元边界部分的OPC，从而可以应用快速处理。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 系统 及其 所用 记录 介质 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件制造方法，包括：将组成半导体器件的集成电路的布局数据划分成多个块的步骤；对每个块应用光学邻近校正OPC的OPC处理步骤；校正在块之间的边界部分的图案的边界部分校正步骤；以及通过基于在边界部分校正步骤之后的布局数据执行光刻仿真来形成期望图案的步骤。
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