[发明专利]具有次微米光修正柱的发光二极管及其制造方法无效
申请号: | 200610152551.5 | 申请日: | 2006-09-27 |
公开(公告)号: | CN101154700A | 公开(公告)日: | 2008-04-02 |
发明(设计)人: | 杨嘉豪;林良儒;徐海文;徐智魁;詹贵丞;锺宽仁 | 申请(专利权)人: | 新世纪光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明是有关于一种具有次微米光修正柱的发光二极管及其制造方法。该发光二极管,包含板状基材、形成在基材上并可以光电效应发光的量子单元,以及对该量子单元提供电能的二片电极,特别的是,在图案化平台的过程中,同步在非平台的区域深蚀刻成形出多数根自该第一型披覆层向上耸立的光修正柱,借由此等高度属次微米尺度的光修正柱与其周遭介质的折射系数差,而可使量子单元产生而对应自平台侧周面射出的非正向光的行进方向改变,而实质向上正向行进,进而可以增加发光二极管的发光亮度与发光面积。 | ||
搜索关键词: | 具有 微米 修正 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种具有次微米光修正柱的发光二极管,包含一块板状基材、一层形成在该基材上的量子单元,及二片设置在该量子单元上的电极,该量子单元并具有一层包括一与该基材连接的底部及一自该底部的中央区域向上凸起的延伸部的第一型披覆层、一层自该第一型批覆层的延伸部顶面向上形成的活性层,及一层自该活性层顶面向上形成的第二型批覆层,该第一、二型批覆层相对该活性层成量子能障而以光电效应产生光,且该第一型披覆层的延伸部与该活性层、第二型披覆层共同形成一个供光自顶面正向及自侧面侧向射出的平台,该二片电极分别设置在该第一型批覆层底部顶面上与该量子单元最上层结构的顶面上,且分别与该第一、二型批覆层相欧姆接触而可对该量子单元提供电能;其特征在于:该量子单元还具有多数根自该第一型披覆层底部的顶面向上形成的光修正柱,该多数根光修正柱与周遭介质的折射系数差使自该平台侧面侧向射出的光的行进方向改变,而可实质向上正向行进。
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