[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、具有薄膜晶体管的液晶显示面板及电发光显示面板有效
| 申请号： | 200610152496.X | 申请日： | 2006-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN1956225A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | 金秉浚;梁成勋;吴旼锡;崔在镐;崔龙模 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/15;H01L27/32;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | TFT包括栅极、活性层、源极、漏极、和缓冲层。栅极形成在基板上，活性层形成在栅极上。形成在活性层上的源极和漏极分离预定距离。缓冲层形成在活性层与源极及漏极之间。缓冲层具有对应于缓冲层厚度的基本连续变化的含量比。缓冲层被形成以抑制活性层的氧化，并降低接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 具有 液晶显示 面板 发光 显示 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：栅极，形成在底部基板上；活性层，形成在所述栅极上，以覆盖所述栅极；源极和漏极，形成在所述活性层上，所述源极与所述漏极分开预定距离；以及缓冲层，形成在所述活性层与所述源极之间以及所述活性层与所述漏极之间，所述缓冲层被形成以抑制所述活性层的氧化。
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