[发明专利]薄膜晶体管阵列面板的制造方法无效
| 申请号： | 200610152439.1 | 申请日： | 2006-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1945813A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 裴良浩;郑敞午;李制勋;赵范锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/768;G03F7/20;G03F7/004;G03F7/00;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法。该方法包括：在基板上形成包括栅电极的栅极线；在栅极线上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成欧姆接触件；在欧姆接触件上形成包括源电极和漏电极的数据线；沉积第二绝缘层；在第二绝缘层上形成第一光刻胶；利用第一光刻胶作为蚀刻掩膜对第二绝缘层和第一绝缘层进行蚀刻，以露出漏电极的一部分和基板的一部分；利用选择性沉积，形成连接至漏电极的已露出部分的像素电极；以及去除第一光刻胶。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 面板 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括：在基板上形成包括栅电极的栅极线；在所述栅极线上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成半导体层；在所述半导体层上形成欧姆接触件；在所述欧姆接触件上形成包括源电极和漏电极的数据线；沉积第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成第一光刻胶；利用所述第一光刻胶作为蚀刻掩膜对所述第二绝缘层和所述第一绝缘层进行蚀刻，以露出所述漏电极的一部分和所述基板的一部分；利用选择性沉积，形成连接至所述漏电极的已露出部分的像素电极；以及去除所述第一光刻胶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610152439.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：网络扫描方法及使用该方法的图像扫描设备
- 下一篇：显示装置和显示方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
