[发明专利]磁头制作方法和磁头无效
| 申请号： | 200610151470.3 | 申请日： | 2006-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN101042872A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 橘雅典;竹下弘人 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/127 | 分类号： | G11B5/127;G11B5/31 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了磁头制作方法和磁头。该磁头制作方法能够高精度地制作磁头。该磁头制作方法包括以下步骤：将磁层的一磁极端部形成为规定形状，该磁极端部成为磁极并形成在其上将形成磁头的工件的表面上；利用阻止层至少涂覆磁层的顶部；利用绝缘层涂覆其上已经形成有阻止层的工件的表面，该绝缘层的抛光率高于阻止层的抛光率；对工件的表面进行抛光，直到涂覆磁层的顶部的阻止层从绝缘层露出为止；以及去除在磁层的表面中已经露出的阻止层。 | ||
| 搜索关键词： | 磁头 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种磁头制作方法，该磁头制作方法包括以下步骤：将磁层的一磁极端部形成为规定形状，该磁极端部成为磁极并形成在其上将形成磁头的工件的表面上；利用阻止层至少涂覆所述磁层的顶部；利用绝缘层涂覆其上已经形成有所述阻止层的所述工件的表面，该绝缘层的抛光率高于所述阻止层的抛光率；抛光所述工件的表面，直到涂覆所述磁层的顶部的所述阻止层从所述绝缘层中露出为止；以及去除在所述磁层的表面中已经露出的所述阻止层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社，未经富士通株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610151470.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
