[发明专利]一种TFT LCD阵列基板结构及其制造方法有效
| 申请号: | 200610149886.1 | 申请日: | 2006-10-27 |
| 公开(公告)号: | CN1945842A | 公开(公告)日: | 2007-04-11 |
| 发明(设计)人: | 李欣欣;李昌熙;龙春平 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/136 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘芳 |
| 地址: | 100016*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种TFT LCD阵列基板结构,包括:基板;栅电极扫描线和栅电极;栅电极绝缘层;有源层;数据扫描线、源电极和漏电极、挡光条和公共电极;形成在数据扫描线、源电极和漏电极、挡光条和公共电极上的钝化层,并在漏电极、挡光条和公共电极上形成过孔;像素电极;形成在钝化层上的纵向连接线,通过挡光条上的过孔将挡光条纵向连接起来;形成在钝化层上的横向连接线,通过公共电极上的过孔将公共电极横向连接起来。本发明同时公开了该TFT LCD阵列基板结构的制造方法。本发明网状的公共电极结构可以增大公用存储电容和提高开口率,方便TFT的维修和不良率的降低,同时也可以提高TFT LCD的显示品质。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 tft lcd 阵列 板结 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种TFT LCD阵列基板结构,其特征在于,包括:一基板;一栅电极扫描线和栅电极,形成在所述的基板之上;一栅电极绝缘层,形成在所述的栅电极扫描线和栅电极之上;一有源层,形成在所述栅电极绝缘层之上;一数据扫描线、源电极和漏电极、挡光条和公共电极,形成在所述栅绝缘层上,其中源电极和漏电极部分搭接到所述的有源层上;一钝化层,形成在数据扫描线、源电极和漏电极、挡光条和公共电极上,并在漏电极、挡光条和公共电极上形成过孔;一像素电极,形成在钝化层上,并通过所述漏电极上的过孔与漏电极连接;一纵向连接线,形成在钝化层上,通过所述挡光条上的过孔将挡光条纵向连接起来;一横向连接线,形成在钝化层上,通过所述公共电极上的过孔将公共电极横向连接起来。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





