[发明专利]一种TFT LCD阵列基板结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200610149886.1 申请日: 2006-10-27
公开(公告)号: CN1945842A 公开(公告)日: 2007-04-11
发明(设计)人: 李欣欣;李昌熙;龙春平 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/136
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 代理人: 刘芳
地址: 100016*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种TFT LCD阵列基板结构,包括:基板;栅电极扫描线和栅电极;栅电极绝缘层;有源层;数据扫描线、源电极和漏电极、挡光条和公共电极;形成在数据扫描线、源电极和漏电极、挡光条和公共电极上的钝化层,并在漏电极、挡光条和公共电极上形成过孔;像素电极;形成在钝化层上的纵向连接线,通过挡光条上的过孔将挡光条纵向连接起来;形成在钝化层上的横向连接线,通过公共电极上的过孔将公共电极横向连接起来。本发明同时公开了该TFT LCD阵列基板结构的制造方法。本发明网状的公共电极结构可以增大公用存储电容和提高开口率,方便TFT的维修和不良率的降低,同时也可以提高TFT LCD的显示品质。
搜索关键词: 一种 tft lcd 阵列 板结 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种TFT LCD阵列基板结构,其特征在于,包括:一基板;一栅电极扫描线和栅电极,形成在所述的基板之上;一栅电极绝缘层,形成在所述的栅电极扫描线和栅电极之上;一有源层,形成在所述栅电极绝缘层之上;一数据扫描线、源电极和漏电极、挡光条和公共电极,形成在所述栅绝缘层上,其中源电极和漏电极部分搭接到所述的有源层上;一钝化层,形成在数据扫描线、源电极和漏电极、挡光条和公共电极上,并在漏电极、挡光条和公共电极上形成过孔;一像素电极,形成在钝化层上,并通过所述漏电极上的过孔与漏电极连接;一纵向连接线,形成在钝化层上,通过所述挡光条上的过孔将挡光条纵向连接起来;一横向连接线,形成在钝化层上,通过所述公共电极上的过孔将公共电极横向连接起来。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610149886.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top