[发明专利]基底处理装置有效
| 申请号： | 200610149725.2 | 申请日： | 2006-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101000862A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 具教旭;金正珉 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/30;H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 武玉琴;张友文 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种依次使用多种处理溶液的基底处理装置。该基底处理装置包括用于独立地收集所使用的处理溶液的处理液体收集室，和用于独立地排出在处理过程中产生的污染气体的排放部件。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种使用多种处理溶液的基底处理装置，所述装置包括：支撑部件，用于承接其上的基底并旋转所述基底；处理液体供给部件，用于将处理溶液提供给置于所述支撑部件之上的所述基底；处理液体收集部件，其形成有用于放置所述支撑部件的空间，并包括多个处理液体收集室，这些处理液体收集室布置得用于独立地收集由所述处理液体供给部件提供的处理溶液；排放部件，用于独立地排出在处理所述基底过程中从所述处理溶液产生的污染气体；以及升降部件，其移动所述支撑部件和所述处理液体收集部件之中的至少一个，以相对于所述处理液体收集室的入口改变所述支撑部件的高度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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