[发明专利]半导体存储器件及其控制方法无效
| 申请号： | 200610149567.0 | 申请日： | 2006-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN1967720A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 小关隆夫;在田盟;山冈邦史;岩成俊一 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C11/10;G11C16/08 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 季向冈 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储器件的控制方法，该半导体存储器件包含具有多个多值存储器单元的存储器单元阵列，该多个多值存储器单元的每一个，以第一写入动作在第一页的地址存储数据、以第二写入动作在第二页的地址存储数据，所述半导体存储器件的控制方法的特征在于，包括：地址转换表处理步骤，通过在上述多个多值存储器单元的每一个中，对地址分配要进行写入的地址，以使得在第一页的地址写入数据之后在第二页的地址写入数据，来生成用于进行地址转换的地址转换表；地址加扰步骤，根据上述地址转换表，对输入地址进行地址转换。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件的控制方法，该半导体存储器件包含具有多个多值存储器单元的存储器单元阵列，该多个多值存储器单元的每一个，以第一写入动作在第一页的地址存储数据、以第二写入动作在第二页的地址存储数据，所述半导体存储器件的控制方法的特征在于，包括：地址转换表处理步骤，通过在上述多个多值存储器单元的每一个中，对地址分配要进行写入的地址，以使得在第一页的地址写入数据之后在第二页的地址写入数据，来生成用于进行地址转换的地址转换表；地址加扰步骤，根据上述地址转换表，对输入地址进行地址转换；以及写入步骤，向在上述地址加扰步骤中所得到的转换后的地址中进行写入。
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