[发明专利]电可重写非易失存储元件

摘要

一种非易失半导体存储器件包括：多个下电极，其以矩阵的方式布置；多个记录层图案，其每个布置在下电极上，并且包含相变材料；以及层间绝缘膜，其提供在下电极和记录层图案之间，并且具有多个孔，用于暴露下电极的一部分。下电极和记录层图案在每个孔中连接。孔在X方向上相互平行地延伸。记录层图案在Y方向上相互平行地延伸。这样一来，与形成独立的孔相比，能够以更高的准确度形成孔。因此，能够获得高热效率，同时有效防止不良连接等的发生。

主权项

1.一种非易失半导体存储器件，包含：多个下电极，其以矩阵的方式布置；多个记录层图案，其提供在所述下电极上，并且包含相变材料；以及层间绝缘膜，其具有多个孔，用于暴露所述下电极的一部分，所述层间绝缘膜提供在所述下电极和所述记录层图案之间，其中所述下电极和所述记录层图案在所述孔中连接，所述孔在第一方向上相互平行地延伸，并且所述记录层图案在与所述第一方向相交的第二方向上相互平行地延伸。