[发明专利]氮化物基半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610149272.3 | 申请日： | 2006-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN101026212A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 尹皙胡;孙哲守;李庭旭;金柱成 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种结构被改进以提高光取出效率的氮化物基半导体发光器件及其制备方法。该方法包括如下操作：在衬底上依次形成n盖层、有源层和p盖层；在p盖层的上表面上形成多个掩蔽点；在掩蔽点之间的p盖层部分上形成具有粗糙表面的p接触层；从p接触层的部分上表面干蚀刻至n盖层的预定深度，从而将n盖层的n接触表面形成为具有与p接触层相同的粗糙形状的粗糙n接触表面；在粗糙n接触表面上形成n电极；以及在p接触层上形成p电极。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物基半导体发光器件的制造方法，包括：在衬底上依次形成n盖层、有源层和p盖层；在所述p盖层的上表面上形成多个掩蔽点；在所述掩蔽点之间的p盖层部分上形成具有粗糙表面的p接触层；从所述p接触层的部分上表面干蚀刻至所述n盖层的预期深度，从而形成具有与所述p接触层相同的粗糙形状的所述n盖层的粗糙n接触表面；在所述粗糙n接触表面上形成n电极；以及在所述p接触层上形成p电极。
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