[发明专利]包括单字线晶体管的磁性存储元件的系统及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200610148451.5 申请日: 2006-11-10
公开(公告)号: CN1967860A 公开(公告)日: 2007-05-23
发明(设计)人: 何家骅 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L27/22 分类号: H01L27/22;H01L43/08;G11C11/02
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 韩宏
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种包括有磁性金属层以及邻近于此磁性金属层的磁感测设备的MRAM单元。此磁性金属层的一端连接至字线晶体管,且其中包括一个二极管并用于使此磁感测设备连接至位线。此磁性金属层可用于编程并读取此单元,而排除此单元中对第二电流线的需要。
搜索关键词: 包括 单字 晶体管 磁性 存储 元件 系统 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种非易失性存储单元,包括:字线晶体管,其包括栅极、源极、以及漏极;磁性金属层,其中该磁性金属层的一端连接至该字线晶体管;磁感测设备,其以一邻近导体而与该磁性金属层分隔;第一位线;二极管,其用以连接该磁感测设备至该第一位线;第二位线,其连接至该磁性金属层的另一端。
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