[发明专利]热蒸发法合成小直径单晶SiC纳米丝有序阵列的方法无效
| 申请号： | 200610148218.7 | 申请日： | 2006-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101003912A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | 牛俊杰;王健农 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B29/62;C30B25/00;C01B31/36 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;张宗明 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种热蒸发法合成小直径单晶SiC纳米丝有序阵列的方法，属于纳米材料技术领域。本发明采用硅片作为反应衬底和硅源，以固态碳材料为前驱体，以ZnS粉末为辅助剂，以惰性气体氩气为保护气体及载气，进行氧化还原反应，从而在硅片上成核并生长成大量小直径单晶有序排列的SiC纳米丝阵列。本发明工艺简单易行，成本低廉，对环境无污染，采用惰性气体保护，无明显易燃危险原料，气体价格低廉；收率高，可以连续化操作。 | ||
| 搜索关键词： | 蒸发 合成 直径 sic 纳米 有序 阵列 方法 | ||
【主权项】：
1、一种热蒸发法合成小直径单晶SiC纳米丝有序阵列的方法，其特征在于，采用硅片作为反应衬底和硅源，以固态碳材料为前驱体，以ZnS粉末为辅助剂，以惰性气体氩气为保护气体及载气，进行氧化还原反应，从而在硅片上成核并生长成大量小直径单晶有序排列的SiC纳米丝阵列。
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