[发明专利]可释放热失配应力的硅基碲镉汞凝视红外焦平面器件芯片有效
申请号: | 200610148070.7 | 申请日: | 2006-12-27 |
公开(公告)号: | CN1988166A | 公开(公告)日: | 2007-06-27 |
发明(设计)人: | 胡晓宁;叶振华;何力 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人: | 田申荣 |
地址: | 20008*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种可释放热失配应力的硅基碲镉汞凝视红外焦平面器件芯片,该芯片包括Si衬底,与Si衬底牢固结合的碲镉汞外延薄膜,通过常规的器件芯片制备工艺在碲镉汞外延薄膜上形成的光敏元列阵,在每10-20个光敏元间的隔离区,均匀地置有通过等离子体刻蚀形成的可释放热失配应力的小孔,从而使焦平面器件芯片在室温—低温(80K)的温度循环过程中,热失配应力在局部小区域得到释放,使整个焦平面范围内的光敏元性能不因为热失配应力而导致失效,提高芯片的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 释放 失配 应力 硅基碲镉汞 凝视 红外 平面 器件 芯片 | ||
【主权项】:
1.一种可释放热失配应力的硅基碲镉汞凝视红外焦平面器件芯片,该芯片包括<211>晶向的Si衬底(1),与Si衬底牢固结合的碲镉汞外延薄膜(2),通过常规的器件芯片制备工艺在碲镉汞外延薄膜上形成的光敏元列阵(3),其特征在于:在每10-20个光敏元间的隔离区,均匀地置有通过等离子体刻蚀形成的小孔(4),小孔尺度小于有效光敏元面积的1%,小孔深度为碲镉汞外延薄膜的厚度,小孔内表面置有钝化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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