[发明专利]可释放热失配应力的硅基碲镉汞凝视红外焦平面器件芯片有效

专利信息
申请号: 200610148070.7 申请日: 2006-12-27
公开(公告)号: CN1988166A 公开(公告)日: 2007-06-27
发明(设计)人: 胡晓宁;叶振华;何力 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: H01L27/144 分类号: H01L27/144
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 代理人: 田申荣
地址: 20008*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种可释放热失配应力的硅基碲镉汞凝视红外焦平面器件芯片,该芯片包括Si衬底,与Si衬底牢固结合的碲镉汞外延薄膜,通过常规的器件芯片制备工艺在碲镉汞外延薄膜上形成的光敏元列阵,在每10-20个光敏元间的隔离区,均匀地置有通过等离子体刻蚀形成的可释放热失配应力的小孔,从而使焦平面器件芯片在室温—低温(80K)的温度循环过程中,热失配应力在局部小区域得到释放,使整个焦平面范围内的光敏元性能不因为热失配应力而导致失效,提高芯片的可靠性。
搜索关键词: 释放 失配 应力 硅基碲镉汞 凝视 红外 平面 器件 芯片
【主权项】:
1.一种可释放热失配应力的硅基碲镉汞凝视红外焦平面器件芯片,该芯片包括<211>晶向的Si衬底(1),与Si衬底牢固结合的碲镉汞外延薄膜(2),通过常规的器件芯片制备工艺在碲镉汞外延薄膜上形成的光敏元列阵(3),其特征在于:在每10-20个光敏元间的隔离区,均匀地置有通过等离子体刻蚀形成的小孔(4),小孔尺度小于有效光敏元面积的1%,小孔深度为碲镉汞外延薄膜的厚度,小孔内表面置有钝化层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海技术物理研究所,未经中国科学院上海技术物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610148070.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top