[发明专利]多孔陶瓷的孔壁碳化硅涂层及其制备方法无效
| 申请号： | 200610147624.1 | 申请日： | 2006-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN1994974A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 丁书强;曾宇平;朱云洲;江东亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B41/85 | 分类号： | C04B41/85;C04B38/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多孔陶瓷的孔壁碳化硅涂层及其制备方法，属于多孔陶瓷的表面改性领域。其特征在于将欲改性的多孔陶瓷体置于浸渍罐内，抽真空后向浸渍罐内注入聚碳硅烷溶液，然后通入高压气体，使聚碳硅烷溶液在高压下完全进入多孔陶瓷的孔道，从而在孔壁上形成均匀的涂层。干燥后，浸渍体在氩气中高温处理，使聚碳硅烷裂解为碳化硅，得到多孔陶瓷的孔壁碳化硅涂层。通过多次浸渍－裂解，可以制备不同厚度的涂层。本发明所提供的涂层为β－SiC，适用于带互连孔隙结构，孔径在0.1微米，开口孔隙率大于30％的多孔陶瓷，如氧化铝多孔陶瓷、莫来石多孔陶瓷、氧化物结合的碳化硅或氮化硅多孔陶瓷或堇青石多孔陶瓷。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 陶瓷 碳化硅 涂层 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种多孔陶瓷的孔壁碳化硅涂层，其特征在于所述的多孔陶瓷的基体为带有互连孔隙结构；涂层是由聚碳硅烷高温裂解的β-SiC组成。
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