[发明专利]单粒子束刻蚀薄膜的单纳米孔制作方法无效
| 申请号： | 200610147232.5 | 申请日： | 2006-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN1986383A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 王志民 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | B81B1/00 | 分类号： | B81B1/00;B81C5/00;G01N27/28;G01N27/416 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;张宗明 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种单粒子束刻蚀薄膜的单纳米孔制作方法，属于纳米技术领域。本发明将固体绝缘薄膜置于带有粒子检测装置的一个可水平旋转的载体上，用单粒子束刻蚀该薄膜，单粒子束入射角大于等于9.6°、小于等于90°，并且单粒子束在该薄膜底部、顶部、或二者之间与薄膜旋转轴交叉，待单粒子束完全穿透该薄膜后，固体绝缘薄膜底部的粒子监测器反馈使该薄膜被穿透处与单粒子束相对移动1，再刻蚀，如此反复，直至固体绝缘薄膜旋转一周，获得圆台形、双倒圆台形或圆筒形的单纳米孔。本发明方法制备的单纳米孔，孔径在1个nm级可控，孔深在从级到μm级可控，适于分辨单链DNA或RNA分子的碱基组分和检测双链DNA分子的大小，为核酸测序提供了关键器件。 | ||
| 搜索关键词： | 粒子束 刻蚀 薄膜 纳米 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种单粒子束刻蚀薄膜的单纳米孔制作方法，其特征在于，所述方法具体为：将固体绝缘薄膜置于带有粒子检测装置的一个可水平旋转的载体上，用单粒子束刻蚀固体绝缘薄膜，单粒子束入射角大于等于9.6°小于等于90°，并且单粒子束在该薄膜底部、顶部、或二者之间与固体绝缘薄膜旋转轴交叉，待单粒子束完全穿透该薄膜后，固体绝缘薄膜底部的粒子监测器反馈使载体旋转一次，使固体绝缘薄膜被穿透处与单粒子束相对移动1，再刻蚀，如此反复，直至固体绝缘薄膜旋转一周，获得单纳米孔。
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