[发明专利]显示装置及其制造方法有效
申请号: | 200610145721.7 | 申请日: | 2006-11-14 |
公开(公告)号: | CN1967864A | 公开(公告)日: | 2007-05-23 |
发明(设计)人: | 郑载勋;李圣秀;崔智慧 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 李伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种显示装置,其包括:薄膜晶体管,形成在第一绝缘基板上;第一电极,与薄膜晶体管电连接;发光层,形成在第一电极上;第二电极,形成在发光层上;辅助电极,形成为类似于网的形状,以至少部分地露出第一电极,该辅助电极与第二电极电连接并接收来自第二电极的共用电压;以及第二绝缘基板,放置在辅助电极上。根据本发明的显示装置及其制造方法的典型实施例可以有效地将共用电压施加于整个显示器,并具有改进的对比度。 | ||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种显示装置,包括第一绝缘基板;薄膜晶体管,形成在所述第一绝缘基板上;第一电极,与所述薄膜晶体管电连接;发光层,形成在所述第一电极上;第二电极,形成在所述发光层上;辅助电极,形成为类似于网的形状,其至少部分地露出所述第一电极,与所述第二电极电连接,所述辅助电极接收共用电压;以及第二绝缘基板,放置在所述辅助电极上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610145721.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于调整、控制操作器的方法和装置
- 下一篇:半导体装置及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的