[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板，包括具有双层结构的栅线；与栅线交叉的数据线；公共电极，其包括公共线以及垂直延伸于公共线并到达像素区域的指状部分；具有指状部分的像素电极；薄膜晶体管，其具有栅极、源极、漏极和岛状的有源层；以及用于覆盖数据线、源极和漏极的保护膜。

主权项

1、一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括步骤：将透明导电材料和金属材料顺序设置在基板上；第一掩模工序，用于对所述的透明导电材料和金属材料进行构图以形成栅金属图案，该栅金属图案包括设置有透明导电材料和金属材料的双层结构的栅线，与该栅线连接的薄膜晶体管的栅极，从所述栅线延伸的栅焊盘，与栅线平行的公共线，以及垂直延伸于公共线并形成指状结构的公共电极，并且形成由透明导电材料构成并沿着公共电极形成水平电场的像素电极；将第一绝缘材料，第一半导体材料和第二半导体材料顺序设置在具有栅金属图案和像素电极的基板上；第二掩模工序，其用于对所述第一绝缘材料，第一半导体材料和第二半导体材料进行构图以形成具有暴露出像素电极的第一接触孔的栅绝缘膜，由与栅极重叠的栅绝缘膜上的第一半导体材料构成的有源层，以及由有源层上的第二半导体材料构成的欧姆接触层；将源/漏金属材料设置在具有第一接触孔，有源层和欧姆接触层的基板上；第三掩模工序，其用于对源/漏金属材料进行构图以形成数据金属图案，该数据金属图案包括与栅线交叉并在其间具有栅绝缘膜的数据线，通过第一接触孔与像素电极接触的薄膜晶体管的漏极，与漏极分离并在其间具有薄膜晶体管的沟道的薄膜晶体管的源极以及从栅线延伸的数据焊盘；在具有数据金属图案的下基板上整体镀上第二绝缘材料；以及第四掩模工序，其用于对第二绝缘材料进行构图以形成暴露出栅焊盘的第二接触孔和暴露出数据焊盘的第三接触孔。