[发明专利]非易失性相变存储装置及其读取方法

摘要

在一个方面，一种非易失性半导体存储装置，包括相变存储单元阵列，其包括多个字线、多个位线、多个相变存储单元，其中每个相变存储单元包括串联在相变存储单元阵列的该多个字线和位线之中的字线和位线之间的相变阻抗元件和二极管。该方面的存储装置还包括：读出结点，其选择性地连接到相变存储单元阵列的位线；提升电路，其生成大于内部电源电压的提升电压；预充电和偏置电路，其由提升电压驱动以预充电和偏置该读出结点；以及读出放大器，其连接到该读出结点。该提升电压可以等于或大于该内部电源电压和每个相变存储单元的二极管的阈值电压之和。

主权项

一种非易失性半导体存储器，包括：相变存储单元，其选择性地连接到读出结点；提升电路，其生成提升电压；连接在该提升电路与该读出结点之间的预充电和偏置电路，其由该提升电压驱动以预充电和偏置该读出结点；以及连接到该提升电路和该读出结点的读出放大器，其读出该读出结点的电压，其中，该读出放大器包括连接到该读出结点的读出单元、连接到该读出单元的锁存单元、和连接到该读出单元的虚拟锁存单元。