[发明专利]砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法无效
| 申请号： | 200610144304.0 | 申请日： | 2006-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN101192517A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 高宏玲;曾一平;段瑞飞;王宝强;朱战平;崔利杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一砷化镓衬底；步骤2：将砷化镓衬底进行脱氧处理；步骤3：在砷化镓衬底上生长砷化镓缓冲层，以获得平整的表面；步骤4：在低温范围内生长一铟铝砷缓冲层，该铟铝砷缓冲层为一层、两层或多层结构，以达到外延生长过程晶格常数的改变；步骤5：在生长完铟铝砷缓冲层后，升高砷化镓衬底温度，进行高温热退火，释放外延层的应力。 | ||
| 搜索关键词： | 砷化镓 衬底 多层 变形 缓冲 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一砷化镓衬底；步骤2：将砷化镓衬底进行脱氧处理；步骤3：在砷化镓衬底上生长砷化镓缓冲层，以获得平整的表面；步骤4：在低温范围内生长一铟铝砷缓冲层，该铟铝砷缓冲层为一层、两层或多层结构，以达到外延生长过程晶格常数的改变；步骤5：在生长完铟铝砷缓冲层后，升高砷化镓衬底温度，进行高温热退火，释放外延层的应力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
