[发明专利]非易失存储元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610143924.2 | 申请日： | 2006-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN1960020A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | 浅野勇;佐藤夏树;泰勒·A·劳里;盖·C·威克;沃洛季米尔·丘巴蒂耶;斯蒂芬·J·赫金斯 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;H01L21/82;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谷惠敏;钟强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种非易失存储元件，包含：具有第一通孔11a的第一层间绝缘层11；形成在第一层间绝缘层11上、具有第二通孔12a的第二层间绝缘层12；设置在第一通孔11中的下电极13；包含相变材料、设置在第二通孔12中的记录层15；设置第二层间绝缘层12上的上电极16；和形成在下电极13和记录层15之间的薄膜绝缘层14。根据本发明，埋在第一通孔11a中的下电极13的直径D1比第二通孔12a的直径D2小，从而降低下电极13的热容。因此，当通过薄膜绝缘层14中的介质击穿形成小孔14a时，附近用作加热区，减少逃逸到下电极13的热量，导致更高的加热效率。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失 存储 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失存储元件，包括：具有第一通孔的第一层间绝缘层；形成在第一层间绝缘层上、具有第二通孔的第二层间绝缘层，第二通孔的至少一部分与第一通孔的至少一部分重叠；设置在第一通孔中的下电极；包含相变材料的至少一个记录层，记录层的至少一部分设置在第二通孔中；设置在第二绝缘层上的上电极；和形成在下电极和记录层之间的薄膜绝缘层，其中下电极具有比第二通孔的直径小的直径。
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