[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200610143833.9 | 申请日： | 2006-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN1964018A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 黑泽哲也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/301 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 李峥;杨晓光 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种半导体器件的制造方法，可提高对半导体晶片进行分割时的起始点的稳定性和精度，提高成品率，并且不会导致生产效率的下降。该半导体器件的制造方法在半导体晶片(11)的主表面上形成元件，在上述半导体晶片的背面，沿着切割线或芯片分割线，采用机械或化学方法形成沟槽(17)。然后，通过向上述沟槽内照射激光，形成改质层(20)，以上述改质层为起始点分割上述半导体晶片。然后除去上述半导体晶片的背面直到至少上述沟槽深度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：在半导体晶片的主表面上形成元件的工序；在上述半导体晶片的背面沿着切割线或芯片分割线采用机械或化学方法形成沟槽的工序；向上述沟槽内照射激光，在比上述半导体晶片的上述沟槽更深的位置形成改质层的工序；以上述改质层为起始点分割上述半导体晶片的工序；和除去上述半导体晶片的背面直到至少上述沟槽的深度的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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