[发明专利]场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200610143709.2 | 申请日： | 2006-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN1967793A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | H·M·纳飞;A·维特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于形成场效应晶体管(FET)器件的方法，包括在半导体晶片的有源器件区域上形成栅极导体和栅极介质，半导体晶片包括在体衬底上形成的掩埋绝缘层和在掩埋绝缘层上最初形成的绝缘体上半导体层。在绝缘体上半导体层中邻近栅极导体的相对侧形成源极和漏极延伸，并且邻近栅极导体形成源极和漏极侧壁隔离物。除去绝缘体上半导体层邻近侧壁隔离物的剩余部分以暴露部分掩埋绝缘层。除去掩埋绝缘层的暴露部分以暴露部分体衬底。在体衬底的暴露部分和源极和漏极延伸上外延生长半导体层，并且在外延生长层中形成源极和漏极注入。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成场效应晶体管(FET)器件的方法，所述方法包括如下步骤：在半导体晶片的有源器件区域上形成栅极导体和栅极介质，所述半导体晶片包括在体衬底上形成的掩埋绝缘层和在所述掩埋绝缘层上最初形成的绝缘体上半导体层；在所述绝缘体上半导体层中，邻近所述栅极导体的相对侧形成源极和漏极延伸；邻近所述栅极导体形成源极和漏极侧壁隔离物；除去所述绝缘体上半导体层邻近所述侧壁隔离物的剩余部分以暴露部分所述掩埋绝缘层；除去所述掩埋绝缘层的所述暴露部分以暴露部分所述体衬底；在所述体衬底的所述暴露部分和所述源极和漏极延伸上外延生长半导体层；在所述外延生长的半导体层中形成源极和漏极注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
