[发明专利]基板处理装置有效
| 申请号： | 200610143695.4 | 申请日： | 2006-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN1963992A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 相原友明 | 申请（专利权）人： | 大日本网目版制造株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/30;H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐恕 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种通过处理液对基板进行处理的基板处理装置，上述装置包括：处理槽，其存积处理液，收容基板，并通过处理液对基板进行处理；腔室，其包围上述处理槽的周围；升降支承机构，其支承基板，并经上述处理槽内部的处理位置、和上述腔室内的上述处理槽的上方的待机位置而进行升降；排出部，其排出上述处理槽的处理液；开闭机构，其开闭上述处理槽的上部；下方喷嘴，其被设置于上述开闭机构，在上述开闭机构被关闭且使处理液从上述排出部排出的状态下，向上述处理槽内部供给含有有机溶剂的惰性气体。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其通过处理液来对基板进行处理，其特征在于，该装置包括：处理槽，其存积处理液，收容基板，并通过处理液对基板进行处理；腔室，其包围上述处理槽的周围；升降支承机构，其支承基板，并经上述处理槽内部的处理位置、和上述腔室内的上述处理槽上方的待机位置而进行升降；排出部，其排出上述处理槽的处理液；开闭机构，其开闭上述处理槽的上部；下方喷嘴，其被设置于上述开闭机构，在上述开闭机构被关闭且使处理液从上述排出部排出的状态下，向上述处理槽内部供给含有有机溶剂的惰性气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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