[发明专利]用于在非易失性存储器件中设置凹陷沟道的制造方法和结构无效
| 申请号： | 200610143280.7 | 申请日： | 2006-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN1959960A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | 沈相必;金光洙;朴赞光;李宪奎 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/762;H01L21/336;H01L27/115;H01L29/788 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种非易失性存储器件的制造方法，包括制备包括单元阵列区的半导体衬底。该方法还包括通过刻蚀该半导体衬底，在单元阵列中形成凹陷区。该方法包括，至少刻蚀部分该半导体衬底和形成不同深度的第一和第二沟槽，该半导体衬底部分地包括凹陷区，该第一和第二沟槽交叉该凹陷区以及互相连接。该方法包括，通过在第一和第二沟槽中填充绝缘材料，形成具有粗糙底部并限定有源区的器件隔离层。该方法包括，在包括凹陷区的有源区的半导体衬底上形成栅绝缘层，以及在该栅绝缘层上形成栅极结构，以填充该凹陷区，该栅极结构包括浮栅、栅间绝缘图形以及控制栅。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 非易失性存储器 设置 凹陷 沟道 制造 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器件的制造方法，包括：制备包括单元阵列区的半导体衬底；通过刻蚀该半导体衬底，在单元阵列区中形成凹陷区；刻蚀至少部分半导体衬底和形成不同深度的第一和第二沟槽，该部分半导体衬底部分地包括凹陷区，该第一和第二沟槽交叉该凹陷区以及互相连接；通过在第一和第二沟槽中填充绝缘材料，形成具有粗糙底部和限定有源区的器件隔离层；在包括凹陷区的有源区的半导体衬底上形成栅绝缘层；以及在栅绝缘层上形成栅极结构，以填充该凹陷区，该栅极结构包括浮栅、栅间绝缘图形以及控制栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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