[发明专利]半导体结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200610143273.7 | 申请日： | 2006-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN1960004A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | 杜里塞蒂·奇戴姆巴拉奥;亨利·K·厄托莫 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构采用具有沟道区的半导体衬底。栅极电极位于所述半导体衬底之上。间隔物定位为与所述栅极电极的侧壁相邻。所述间隔物由具有从约10至约50GPa模量的材料形成。所述模量提供沟道区中增强的应力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：半导体衬底，包括沟道区；栅极电极，位于所述半导体衬底之上且在所述沟道区上方；及间隔物，与所述栅极电极的侧壁相邻，其中所述间隔物由具有从约10至约50GPa模量的材料形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610143273.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
