[发明专利]应变半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610143172.X | 申请日： | 2006-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN1945854A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | A·舍恩克;H·特瓦斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 顾珊;魏军 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 应变半导体器件及其制造方法，在一种用于形成半导体器件的方法中，栅电极形成在半导体主体(例如，块硅衬底或SOI层)上方。栅电极与半导体主体电绝缘。第一侧壁隔层沿栅电极的侧壁形成。牺牲侧壁隔层靠近第一侧壁隔层形成。牺牲侧壁隔层和第一侧壁隔层覆盖半导体主体。平面化层形成在半导体主体上方，以使得部分平面化层靠近牺牲侧壁隔层。牺牲侧壁隔层然后可以被除去，凹槽可以被蚀刻在半导体主体中。该凹槽在第一侧壁隔层和部分平面化层之间基本对准。半导体材料(例如，SiGe或SiC)然后可以形成在凹槽中。 | ||
| 搜索关键词： | 应变 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在半导体主体上形成栅电极，该栅电极与半导体主体电绝缘；沿栅电极的侧壁形成第一侧壁隔层；靠近第一侧壁隔层形成牺牲侧壁隔层，该牺牲侧壁隔层和第一侧壁隔层覆盖半导体主体；在半导体主体上方形成平面化层，以使得部分平面化层靠近牺牲侧壁隔层；除去牺牲侧壁隔层；在半导体主体中蚀刻凹槽，该凹槽在第一侧壁隔层和部分平面化层之间基本上对准；以及在凹槽中形成半导体材料。
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