[发明专利]形成有埋入的隔离圈的半导体结构的方法和通过这种方法形成的半导体结构有效
| 申请号： | 200610142854.9 | 申请日： | 2006-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN1967798A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 杰克·阿兰·迈德曼;程慷果 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/8242;H01L21/82;H01L27/108;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构，这种半导体结构包括在衬底中形成的沟槽和在沟槽的侧壁附近延伸的埋入的隔离圈。埋入的隔离圈通过由衬底材料构成的埋入的多孔区形成的绝缘体构成。通过使用掩模和离子注入或者通过屏蔽沟槽侧壁并使用掺杂剂扩散限定的埋入的掺杂区形成多孔区。有利地，通过氧化法将多孔区转变为氧化物绝缘体。这种半导体结构可以是存储器单元的存储电容器，该存储器单元进一步具有在沟槽附近的埋入的极板和在沟槽里面的电容器节点，通过在沟槽侧壁上形成的节点电介质使该电容器节点与埋入的极板分离。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 埋入 隔离 半导体 结构 方法 通过 这种方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体结构的方法，包括：形成具有从衬底的表面延伸到位于该表面之下的底壁的侧壁的沟槽；在沟槽的侧壁附近的衬底中并在衬底的表面和沟槽的底壁之间的深度处形成多孔区；和将多孔区转换为绝缘体以在沟槽附近限定埋入的隔离圈。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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