[发明专利]半导体结构及制造鳍式场效应晶体管器件的方法无效
| 申请号： | 200610142555.5 | 申请日： | 2006-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN1960003A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | 杜雷赛蒂·奇达姆巴拉奥 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | FinFET及其制造方法包括在半导体鳍的沟道区上形成的栅电极。所述半导体鳍具有一晶体取向和轴向特定压阻系数。在所述方法中，形成具有固有应力的栅电极，通过确定所述固有应力影响并且优选优化沟道区内的载流子迁移率。为了达到这一目的，所述固有应力优选在所述栅电极和所述半导体鳍沟道区内提供补偿所述轴向特定压阻系数的诱发轴向应力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 场效应 晶体管 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：包括至少一个半导体鳍的衬底，所述半导体鳍具有一晶体学取向和轴向特定压阻系数；以及覆盖所述半导体鳍内的沟道区的栅电极，其中，所述栅电极和所述沟道区具有与所述轴向特定压阻系数相关的轴向特定应力。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610142555.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：信息处理装置和恢复控制方法
- 下一篇：空气净化器
- 同类专利
- 专利分类
