[发明专利]由单步MOCVD制造的掩埋异质结构器件无效
| 申请号： | 200610142293.2 | 申请日： | 2006-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN1945365A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | D·P·布尔;S·W·科尔赞 | 申请（专利权）人： | 阿瓦戈科技光纤IP（新加坡）股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/10 | 分类号： | G02B6/10;G02B6/13;G02F1/017;H01S5/00;H01S5/12;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李亚非;梁永 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本器件是一种包括生长面、生长掩膜、光波导核心台面结构和包层的光电子器件或透明波导器件。生长掩膜位于半导体面上，并且限定了具有周期性光栅轮廓的细长生长窗口。光波导核心台面结构位于生长窗口中，并且具有梯形的截面形状。包层覆盖了光波导核心台面结构，并且在生长掩膜的至少一部分上延伸。通过下述来制造这样的器件：提供包括生长面的晶片，通过微选择区域生长在第一生长温度在生长面上生长光波导核心台面结构，以及在比第一生长温度低的第二生长温度利用包层材料来覆盖光波导核心台面结构。 | ||
| 搜索关键词： | mocvd 制造 掩埋 结构 器件 | ||
【主权项】：
1.一种器件，包括：生长面；在该生长面上的生长掩膜，该生长掩膜限定了具有周期性光栅轮廓的细长生长窗口；光波导核心台面结构，其位于该生长窗口中并且具有梯形的截面形状；以及包层，其覆盖了光波导核心台面结构并且在生长掩膜的至少一部分上延伸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿瓦戈科技光纤IP（新加坡）股份有限公司，未经阿瓦戈科技光纤IP（新加坡）股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610142293.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种钢筋砼带肋预制板
- 下一篇：纳巴霉素42－酯衍生物的区位特异合成
