[发明专利]具有埋入扩散隔离物的氮化物只读存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610141533.7 | 申请日： | 2006-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1949539A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | 刘建宏 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有埋入的扩散间隔物的氮化物只读存储器的制造方法。氧化硅/氮化硅/氧化硅(O/N/O)层沉积在硅衬底上，并且多晶硅栅极形成在氧化硅/氮化硅/氧化硅(O/N/O)层之上。两个埋入的扩散间隔物形成在多晶硅栅极侧壁的两侧以及氧化硅/氮化硅/氧化硅(O/N/O)层之上。两个埋入的扩散区通过离子注入形成在硅衬底内靠近于这两个埋入的扩散间隔物处。这两个埋入的扩散区然后通过热退火使该埋入的扩散区的大致界面位于该多晶硅栅极的侧壁之下。本发明还公开了一种具有埋入的扩散间隔物的氮化物只读存储器结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 埋入 扩散 隔离 氮化物 只读存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种存储元件，包含：硅衬底，其具有第一和第二埋入的扩散区；氧化硅/氮化硅/氧化硅(O/N/O)层，其限定在该硅衬底上；多晶硅栅极，其覆盖在介于该第一和第二埋入的扩散区之间的该氧化硅/氮化硅/氧化硅(O/N/O)层之上，该多晶硅栅极具有第一端和第二端，该多晶硅栅极在该第一和第二埋入的扩散区之间延伸一定的长度，所以该多晶硅栅极的该第一端和该第二端位于该第一和第二埋入的扩散区之间的大致界面之上；以及分别位于该多晶硅栅极的该第一端和该第二端旁边的第一和第二绝缘间隔物。
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