[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610141457.X | 申请日： | 2006-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1945852A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 粉谷直树;冈崎玄;竹冈慎治;平濑顺司;濑部绍夫;相田和彦 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L27/04;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/822 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 能够降低被完全转化为硅化物的栅极的电容。半导体装置具备：元件分离区域(12)，其形成于半导体基板(11)；活性区域(11a)，其被该元件分离区域(12)包围且由半导体基板(11)构成；绝缘膜(13)，其形成在该活性区域(11a)上；及栅极(15)，其横跨在活性区域(11a)及邻接的元件分离区域(12)上而形成。栅极(15)具有：第一部分，其经由栅绝缘膜(13)设置在活性区域(11a)上；及第二部分，其设置在元件分离区域(12)上，且由硅区域及形成为覆盖该硅区域的硅化物区域构成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其中，具备： 元件分离区域，其形成于半导体基板； 活性区域，其被所述元件分离区域包围且由所述半导体基板构成； 栅绝缘膜，其形成在所述活性区域上；及 栅极，其横跨在所述活性区域上及邻接的所述元件分离区域上而形 成， 所述栅极具有：第一部分，其经由所述栅绝缘膜设置在所述活性区域 上，且厚度方向的整个区域由硅化物区域构成；及第二部分，其设置在所 述元件分离区域上，且由硅区域及形成为覆盖该硅区域的所述硅化物区域 构成。
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