[发明专利]等离子体显示装置无效
| 申请号： | 200610141257.4 | 申请日： | 2006-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1941260A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 小野泽诚;桥本康宣;岸智胜;柴田将之 | 申请（专利权）人： | 富士通日立等离子显示器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J17/49 | 分类号： | H01J17/49;H01J17/04;H01J17/02;H01J17/20;H01J11/00;G09G3/28;G09F9/313 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题在于提供一种高亮度的等离子体显示装置。提供一种等离子体显示装置，包括：第一和第二基板(1、2)；用于在所述第一基板上进行维持放电而在第一基板上形成的第一和第二电极(11、12)；用于在与第二电极之间进行地址放电而在第二基板上形成的第三电极(15)；在所述第一基板上以覆盖第一和第二电极的方式由氧化硅膜形成的介电体层(13)；以及存在于第一与第二基板之间的Xe浓度10％±2.5％以内的放电气体。介电体层厚度为10μm±2.5μm以内。第一～第三电极构成一个像素，可显示1920×1080像素。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体显示装置，其特征在于，包括：第一和第二基板；用于在所述第一基板上进行维持放电而在所述第一基板上形成的第一和第二电极；用于在与所述第二电极之间进行地址放电而在所述第二基板上形成的第三电极；在所述第一基板上以覆盖所述第一和第二电极的方式由氧化硅膜形成的介电体层；以及存在于所述第一与第二基板之间的Xe浓度为10％±2.5％以内的放电气体，其中所述介电体层厚度为10μm±2.5μm以内，所述第一～第三电极构成一个像素，可显示1920×1080像素。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通日立等离子显示器股份有限公司，未经富士通日立等离子显示器股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610141257.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
