[发明专利]场效应晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200610141247.0 | 申请日： | 2006-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1956214A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;程慷果 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L29/772;H01L29/78;H01L21/335;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种场效应晶体管(FET)，包括源极侧半导体；漏极侧半导体；和栅极。源极侧半导体由高迁移率半导体材料构成，并且漏极侧半导体由低泄漏半导体材料构成。在一个实施例中，FET是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。本发明还提供了用于制造该FET的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管(FET)，包括：源极半导体，具有沟道的第一部分；漏极半导体，具有所述沟道的第二部分；以及栅极，其中所述源极半导体由高迁移率半导体材料构成，并且其中所述漏极半导体由低泄漏半导体材料构成。
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