[发明专利]一种MOS晶体管及其制作方法无效
| 申请号： | 200610140391.2 | 申请日： | 2006-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1964073A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 孙雷;李定宇;张盛东;吴涛;韩汝琦;刘晓彦 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 邵可声 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种新结构的MOS晶体管，其特征在于所述MOS晶体管具有不对称的源漏结构，源端采用金属或金属和半导体形成的化合物与沟道形成肖特基接触，漏端采用抬高的高掺杂漏。本发明的MOS晶体管的源漏寄生电阻比传统的MOSFET器件小得多，而关态漏电流也减小了许多，使器件的开关态电流比有了很大的提高。本发明提出的肖特基势垒接触源端和抬高的掺杂漏端的MOS晶体管(SSRDMOSFET)的工艺制备方法和传统的肖特基势垒源漏MOS晶体管制作工艺相兼容，同时由于离子注入工艺步骤在栅结构形成之前，因此有着较低的热预算，使得高K栅介质和金属栅材料的应用有着较大的空间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种MOS晶体管，包括一栅电极，一栅介质层，一栅电极侧墙介质层，一半导体衬底，一源区和一漏区；所述源区由金属或金属与半导体形成的化合物材料构成，所述漏区由半导体高掺杂形成，分别位于半导体衬底之上、栅电极的两侧，且漏区具有抬高结构；所述栅介质层位于栅电极之下、半导体衬底之上，两侧分别与源区和漏区相连；所述栅电极侧墙介质层位于栅电极靠近源区一侧、栅介质层之上。
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