[发明专利]基于氮化物的半导体发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 200610140022.3 | 申请日： | 2006-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN1945865A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 李赫民;金显炅;金东俊;申贤秀 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于氮化物的半导体LED，其包括：基板；n型氮化物半导体层，形成在基板上；有源层和p型氮化物半导体层，顺序地形成在n型氮化物半导体层的预定区域上；透明电极，形成在p型氮化物半导体层上；p电极焊盘，形成在透明电极上，该p电极焊盘与p型氮化物半导体层的外缘线隔开50至200μm；以及n电极焊盘，形成在n型氮化物半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氮化物 半导体 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于氮化物的半导体LED，其包括：基板；n型氮化物半导体层，形成在所述基板上；有源层和p型氮化物半导体层，顺序地形成在所述n型氮化物半导体层的预定区域上；透明电极，形成在所述p型氮化物半导体层上；p电极焊盘，形成在所述透明电极上，所述p电极焊盘与所述p型氮化物半导体层的外缘线隔开50μm至200μm；以及n电极焊盘，形成在所述n型氮化物半导体层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电机株式会社，未经三星电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610140022.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
