[发明专利]对碳基硬掩模进行开口的方法无效
| 申请号： | 200610140012.X | 申请日： | 2006-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN1953146A | 公开（公告）日： | 2007-04-25 |
| 发明（设计）人： | 王竹戌;宋兴礼;马绍铭;浦远 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵飞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种对碳基硬掩模层(18)进行开口的方法，其中所述碳基硬掩模层由优选地包含至少60％的碳和10％～40％的氢的无定形碳组成，并且覆盖在介电层(16)上。硬掩模通过等离子刻蚀用由H2、N2和CO组成的刻蚀气体开口。刻蚀优选地在具有被HF加偏压的基座电极和电容性地被VHF加偏压的喷头的等离子刻蚀反应器中进行。 | ||
| 搜索关键词： | 碳基硬掩模 进行 开口 方法 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀方法，用来刻蚀形成在衬底上并至少包含40％的碳的碳基层，所述方法包括将所述碳基层暴露于包括氢气、氮气和一氧化碳的刻蚀气体的等离子。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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