[发明专利]使用固体激光器退火的多晶硅薄膜制备半导体器件的方法

摘要

非晶硅经过金属诱导横向晶化后可形成器件级多晶硅。本发明所讲述的是使用固体激光退火的金属锈导晶化多晶硅薄膜(包括纵向的和横向的晶化方向)制备半导体器件的技术。金属诱导多晶硅薄膜是引入金属镍的非晶硅薄膜经炉管退火而成。为提高该种多晶硅薄膜的质量，使用固体激光对上述多晶硅薄膜进行退火处理用来降低薄膜结构缺陷和金属镍元素对薄膜性质的影响，但是退火过程中，不改变金属诱导多晶硅的主体晶粒结构。器件中的搀杂活化同样采用固体激光。与准分子激光器相比，固体激光器相对便宜而且操作简单，并适合于工业化生产。该种多晶硅材料具有广泛的应用领域，如传感器，电子器件，平板显示器和三维立体电路等。

主权项

1.一种制备多晶硅薄膜的技术所包含的步骤：1)形成一层非晶硅薄膜；2)在所述的非晶硅薄膜上沉积一薄层镍；3)将所述的非晶硅和镍薄膜一起在420℃-620℃温度下退火，持续时间为0.5-5小时；4)生成的薄膜经二倍频和三倍频脉冲激光同时照射，脉冲激光的波长在0.9微米到1.2微米之间。