[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

通过使用很少数目的光掩膜，得到对于象素部分的驱动条件和驱动电路最佳的TFT(薄膜晶体管)结构。在第一绝缘薄膜上形成第一到第三半导体薄膜。在第一到第三半导体薄膜上形成第一形状的第一、第二、第三电极。在第一掺杂处理中，使用第一形状的第一、第二、第三电极作为掩膜，在第一到第三半导体薄膜中形成一种导电类型的第一浓度杂质区域。从第一形状的第一、第二、第三电极形成第二形状的第一、第二、和第三电极。在第二掺杂处理中，在第二半导体薄膜中形成与第二形状的第二电极相重叠的、一种导电类型的第二浓度杂质区域。在第二掺杂处理中，还在第一和第二半导体薄膜中形成一种导电类型的第三浓度杂质区域。在第三掺杂处理中，在第三半导体薄膜中形成具有与一种导电类型相反的另一种导电类型的、第四和第五浓度杂质区域。

主权项

1.一种显示装置，包括：形成在绝缘表面上的像素部分和栅极驱动电路，其中所述像素部分包括一种导电类型的第一薄膜晶体管，其中所述栅极驱动电路包括含多个NAND电路的译码器，该多个NAND电路每个包括所述一种导电类型的多个第二薄膜晶体管，并且其中所述一种导电类型的所述多个第二薄膜晶体管串联连接，并且其中所述多个第二薄膜晶体管彼此并联连接，其中所述第一薄膜晶体管和所述多个第二薄膜晶体管的每一个包括：在所述衬底上的半导体岛，所述半导体岛包括源区、漏区、和位于所述源区和所述漏区之间的沟道区；在所述半导体岛上的绝缘膜；设置在所述绝缘膜上的第一导电膜；以及在所述第一导电膜上的第二导电膜，其中所述第一导电膜的边缘延伸超过所述第二导电膜的边缘，以及其中所述绝缘膜具有覆盖以所述第一导电膜的第一部分和未覆盖以所述第一导电膜的第二部分，其中所述第二部分的厚度比所述第一部分的厚度更薄。