[发明专利]CMOS电路及其制造方法无效
| 申请号： | 200610139247.7 | 申请日： | 2006-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN1976034A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | C·D·谢劳;A·C·波诺特;K·P·穆勒;W·劳施 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L27/06;H01L21/8238;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及互补金属氧化物半导体(CMOS)电路，以及形成这样的CMOS电路的方法。更具体地说，本发明涉及包括如掩埋电阻器，电容器，二极管，电感器，衰减器，功率分配器和天线等的无源元件的CMOS电路，其具有小于90欧姆微米的最终接触电阻。可以通过将无源元件的隔离物宽度减小到从约10nm到约30nm的范围或者通过在预非晶注入步骤期间掩蔽无源元件以便无源元件基本上没有预非晶注入，获得这样的低最终电阻。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种互补金属氧化物半导体(CMOS)电路，包括：至少一个n型场效应晶体管(nFET)，位于半导体衬底上；至少一个p型场效应晶体管(pFET)，位于所述半导体衬底上并且与所述nFET邻近；以及至少一个无源元件，位于所述半导体衬底上并且与所述nFET和pFET邻近，其中所述至少一个无源元件具有小于90欧姆微米的最终电阻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
