[发明专利]形成对准键的方法及使用其形成元件隔离结构的方法

摘要

本发明提供了一种在阱结构形成工艺中形成对准键的方法。该方法包括：提供具有对准键区域和第一阱区域的半导体衬底和在衬底上形成第一离子注入掩模。第一离子注入掩模具有暴露对准键区域的一部分并覆盖第一阱区域的凹槽。该方法还包括蚀刻暴露的对准键区域和第一阱区域的第一离子注入掩模以在对准键区域中形成沟槽型对准键以及暴露第一阱区域的第二离子注入掩模，以及将杂质注入到被第二离子注入掩模暴露的第一阱区域以在第一阱区域中形成第一阱。

主权项

1.一种在阱结构形成工艺中形成对准键的方法，该方法包括：提供具有对准键区域和第一阱区域的半导体衬底；在所述衬底上形成第一离子注入掩模，所述第一离子注入掩模具有暴露所述对准键区域的一部分的凹槽并覆盖第一阱区域；蚀刻所述暴露的对准键区域和所述第一阱区域的第一离子注入掩模，以在所述对准键区域中形成沟槽型对准键以及暴露所述第一阱区域的第二离子注入掩模；和将杂质注入到被所述第二离子注入掩模暴露的第一阱区域中以在所述第一阱区域中形成第一阱。