[发明专利]具有竖直型沟道的半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件，包括：有源区，其包括表面区和在该表面区之下所形成的第一凹陷，该有源区沿着第一方向延伸；器件隔离结构，其被提供在有源区的边缘上；栅线，其沿着正交于第一方向的第二方向横越在有源区的表面区之上；第二凹陷，其形成在器件隔离结构中，以将栅线的给定部分容纳到第二凹陷中；第一结区，其形成在第一凹陷之下的有源区中且在栅线的第一侧；以及第二结区，其形成在栅线的第二侧且在第一结区以上，其中第一和第二结区限定了沿着横向和竖向延伸的竖直型沟道。

主权项

1.一种半导体器件，包括：有源区，其包括表面区和在所述表面区之下所形成的第一凹陷，所述有源区沿着第一方向延伸；器件隔离结构，其提供在所述有源区的边缘上；栅线，其沿着正交于所述第一方向的第二方向横越在所述有源区的所述表面区之上；第二凹陷，其形成在所述器件隔离结构中，以将所述栅线的给定部分容纳到所述第二凹陷中；第一结区，其形成在所述第一凹陷之下的所述有源区中且在所述栅线的第一侧；以及第二结区，其形成在所述栅线的第二侧且在所述第一结区以上，其中所述第一和第二结区限定了沿着横向和竖向延伸的竖直型沟道。