[发明专利]半导体元件与其制造方法无效
| 申请号： | 200610138269.1 | 申请日： | 2006-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN1971878A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 陈永修;章勋明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/8232 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是有关于一种制造应变硅半导体元件的方法，藉以改善磊晶薄膜厚度的不受欢迎的变异。评估本发明所提出的半导体元件的布局与元件配置，以决定相对较低或较高元件密度的区域，来决定局部负载效应的缺陷是否可能发生。若是如此，则产生适合所提出的半导体元件的虚拟图案，并入至光罩设计中，再与原先提出的元件配置一起设置在基材上。本发明可以减少或消灭局部负载效应，却不会干扰半导体元件的操作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 与其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用以制造一半导体元件的方法，其特征在于至少包含：提供一半导体基材，该半导体元件具有一上表面；形成一第一凹陷在该半导体基材的该上表面上；形成至少一第二凹陷在该半导体基材的该上表面上；成长一第一磊晶区在该第一凹陷中；以及成长一第二磊晶区在该第二凹陷中；其中该第二磊晶区是电性隔绝，藉以在制造过程中做为一虚拟(Dummy)结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
