[发明专利]集成电路的制造方法及减少熔丝结构侵蚀的方法

摘要

本发明提供一种集成电路的制造方法及减少熔丝结构侵蚀的方法，特别涉及一种减少半导体晶圆的熔丝结构侵蚀的方法，上述减少半导体晶圆的熔丝结构侵蚀的方法，包括提供一具有集成电路的半导体晶圆；在该半导体晶圆进行一良品率测试，以决定缺陷的电路；预先决定一下限波长的光线，然后使半导体晶圆远离具有低于此下限波长的光线。利用熔烧激光熔丝以修补半导体晶圆的缺陷。对于以铜为基质的熔丝构造而言，波长的下限大约为550nm。本发明所提供的集成电路的制造方法及减少熔丝结构侵蚀的方法，不需要改变集成电路的设计即可大幅地增加生产良率以及降低成本。

主权项

1.一种集成电路的制造方法，其特征在于，该集成电路的制造方法包括：提供一具有集成电路的基底；形成多个熔丝，其与该集成电路耦接；利用一能量来源以熔烧至少一熔丝；以及在熔烧该至少一熔丝之后，遮蔽该基底以避免该基底暴露于波长小于一预定的下限的光线。