[发明专利]用于处理存储阵列中的缺陷的方法和系统无效
| 申请号： | 200610137542.9 | 申请日： | 2006-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN1956101A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | R·J·彭宁顿;H·舍恩;K·L·赖特;W·R·洛克伍德 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种通过以下步骤纠正诸如高速缓冲存储器之类的微处理器的存储阵列中的缺陷的方法：操作所述微处理器以执行利用高速缓冲存储器的功能测试过程；在所述功能测试过程期间在跟踪阵列中收集缺陷数据；使用所述缺陷数据标识所述高速缓冲存储器中的缺陷的位置；以及通过设置熔丝以将对所述位置的访问请求重新选路至冗余元件来修复所述缺陷。所述缺陷数据可以包括错误并发位和缺陷地址。所述功能测试过程使用基于随机种子的测试模式产生引起所述高速缓冲存储器中变化的业务负荷的随机高速缓存存取序列。可以在设置某些所述熔丝的所述微处理器的非功能内建自测试完成后执行所述功能测试过程。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 存储 阵列 中的 缺陷 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种处理微处理器的存储阵列中的缺陷的方法，所述方法包括：以正常的处理模式运行所述微处理器以执行利用所述存储阵列的功能测试过程；在所述功能测试过程期间在跟踪阵列中收集缺陷数据；使用所述缺陷数据来标识所述存储阵列中的缺陷的位置；以及通过设置多个熔丝中的一个熔丝来修复所述缺陷，所述熔丝将对所述位置的访问请求重新选路至用于所述存储阵列的多个冗余元件中的一个冗余元件，其中在设置另外一个或多个所述熔丝的所述微处理器的非功能内建自测试完成后执行所述功能测试过程。
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