[发明专利]膜图案化法、薄膜晶体管制法、薄膜晶体管衬底及其制法无效
| 申请号： | 200610137421.4 | 申请日： | 2006-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN1953140A | 公开（公告）日： | 2007-04-25 |
| 发明（设计）人： | 柴田英次;日野辉重 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/308;H01L21/336;H01L29/786;H01L29/417 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种膜的图案化方法，无需作为蚀刻剂使用特定的气体且严密地控制该添加量，而将膜的加工两端部作成随着从衬底分离而两端部间的距离缩短的锥形，并可使该锥形的角度成为期望角度。本发明的膜的图案化方法，在衬底上形成膜(4、5)，在膜(4、5)的上层将第一覆盖层(10)与其上层的第二覆盖层(11)图案化，使该第二覆盖层(11)设有从该第一覆盖层(10)端部突出的舌部，在膜(4、5)的上层形成第一覆盖层(10)及第二覆盖层(11)图案的状态下，将膜(4、5)蚀刻并图案化。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 薄膜晶体管 制法 衬底 及其 | ||
【主权项】：
1.一种膜的图案化方法，其特征在于：在衬底上形成膜，在所述膜的上层将第一覆盖层与其上层的第二覆盖层图案化，使该第二覆盖层设有从所述第一覆盖层端部突出的舌部，在所述膜的上层形成所述第一覆盖层以及所述第二覆盖层的图案的状态下，将所述膜蚀刻而进行图案化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
