[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200610137400.2 | 申请日： | 2006-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN1953198A | 公开（公告）日： | 2007-04-25 |
| 发明（设计）人： | 桑原秀明;大沼英人 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/50 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明揭示一种半导体装置及其制造方法，其目的在于解决如下问题：由于随着高细致化而带来的像素区域的微细化、随着大面积化而带来的衬底的大型化，由于蒸发沉积时所使用的掩模的精度和挠曲等的原因而产生不良。本发明的技术要点如下：通过使用设置有由衍射光栅图形或半透膜构成的具有光强度降低功能的辅助图案的光掩模或中间掩模，在显示区域的像素电极(也被称为第一电极)上、以及像素电极层周边，形成具有膜厚不同的部分的隔离壁，而不增加工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光装置，该发光装置在具有绝缘表面的衬底上包括多个发光元件，其特征在于，所述发光元件包括：第一电极；覆盖该第一电极的端部的隔离壁；形成在所述第一电极上的包含有机化合物的层；以及形成在该包含有机化合物的层上的第二电极，其中所述隔离壁包括突起部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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