[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610137390.2 | 申请日： | 2003-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN1941419A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 仲泽美佐子;一条充弘;浜谷敏次;大沼英人;牧田直树 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所;夏普公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 形成了满足以下三个要求，“很好地抵挡刻蚀并能够阻止刻蚀来保护半导体薄膜被刻蚀剂刻蚀掉”，“在为吸收进行的热处理中允许杂质元素自由移动”，及“具有优秀的可重复性”的阻挡层，阻挡层用于吸收半导体薄膜中的杂质。阻挡层为氧化硅薄膜，阻挡层中所含的低氧化物比率为18％或更高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.半导体器件，包括半导体层、栅绝缘薄膜和形成于绝缘表面的栅电极，其中半导体层含有加速结晶的元素，元素浓度沿半导体层的厚度方向分级。
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