[发明专利]一种再结晶碳化硅制品的制备技术

摘要

一种再结晶碳化硅制品的制备技术，其步骤为：将纯度96％以上及一定颗粒级配的碳化硅粉末与硅粉和碳粉按比例均匀混合，再加入少量结合剂，采用常规工艺成型获得生坯制品；将该生坯置于烧结炉中，在其两端接上石墨电极并在周围用碳化硅粉和碳粉的混合粉末填充；给石墨电极通电，利用坯体的导电性实现自身加热烧结，当温度达到1400℃～1700℃时保温1～4小时；然后继续升温至2500℃，保温3～10小时，随炉自然冷却至室温，即得到高纯度的再结晶碳化硅制品。该技术可以降低对碳化硅原料纯度和烧结设备的技术要求，缩短工艺过程，提高生产效率，从而显著降低再结晶碳化硅制品的制备成本，扩大应用领域。

主权项

1、一种再结晶碳化硅制品的制备技术，其特征是，它的的工艺步骤为：(1)将纯度不低于96％的碳化硅粉末与硅粉和碳粉均匀混合，再加入结合剂，混合均匀，得混合料；所述物料的重量百分比用量为：40～120 目碳化硅粉末 50％-70％；1200～3000 目碳化硅粉末 15％-40％；200～400 目硅粉 5％-18％；200～400 目碳粉 3％-10％； 结合剂 0.5％～3％(2)采用常规成型工艺，将上述混合料加工成型，获得密度为2.6～2.75g/cm3的生坯制品；(3)将所述生坯制品置于烧结炉中，在所述生坯制品的两端连接上石墨电极，并在接有石墨电极的生坯制品周围用碳粉和碳化硅粉的混合粉末填充，以隔绝空气并形成保护气氛；(4)将两石墨电极通电，利用坯体的导电性实施自身加热烧结，使烧结温度达到1400℃～1700℃，保温1～4小时；(5)调节所述制品两端的电压，以每小时不超过100℃的速度，使制品继续升温至2500℃，保温3～10小时，断电后随炉自然冷却至室温，即得到高纯度的再结晶碳化硅制品。