[发明专利]横向双载子接面电晶体及其形成方法有效
申请号: | 200610136698.5 | 申请日: | 2006-10-31 |
公开(公告)号: | CN1967846A | 公开(公告)日: | 2007-05-23 |
发明(设计)人: | 陈硕懋;赵治平;张智胜 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/082 | 分类号: | H01L27/082 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 提供一种具有增进电流增益的横向双载子接面电晶体与其形成方法。该电晶体包含一在基板上形成属于第一导通类型的井区,至少一射极位于井区内,属于与第一导通类型相反的第二导通类型,其中至少一射极中的每一个系彼此连接;复数个集极,位于该井区内,属于第二导通类型其中复数个集极系彼此连接;以及复数个基极接点,位于井区内,属于第一导通类型,其中基极系彼此连接。最好让至少一射极的所有侧边与集极邻接,基极接点中无一与射极的侧边接触。邻近的射极、集极与基极接点系由井区中的间隔所隔开。 | ||
搜索关键词: | 横向 双载子接面 电晶体 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种横向双载子接面电晶体包含:一井区,属于第一导通类型,形成于基板上;一射极,位于该井区内,其中该射极系属于与该第一导通类型相反的第二导通类型,而其中该射极具有复数边的多角形外型;复数个集极,位于该井区内,属于该第二导通类型且彼此连接,其中该射极复数边的每一边有一集极邻接且与该等集极中之一集极在实质上连成一线;复数个基极接点,位于该井区内,属于该第一导通类型且彼此连接,其中该等基极接点系邻接于该等集极,而其中没有任一该等基极接点与该射极的侧边邻接或实质上连成一线;以及其中该射极以及邻近的集极与基极接点系由该井区中的间隔所隔开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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