[发明专利]增益单元及其制作和使用方法有效
| 申请号： | 200610136540.8 | 申请日： | 2006-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN1956197A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | 杰克·A·曼德尔曼;程慷果 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L27/108;H01L27/092;H01L21/8239;H01L21/8242;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及增益单元及其制作和使用方法，第一方面，提供一种第一装置。第一装置是衬底的存储器单元，包括：(1)具有和衬底的表面近似处于同一平面的定向的PFET；和(2)连接到近似平面的PFET的NFET。衬底中NFET的定向和PFET的定向近似垂直。提供多个其它方面。 | ||
| 搜索关键词： | 增益 单元 及其 制作 使用方法 | ||
【主权项】：
1.一种衬底的存储器单元，包括：具有和衬底的表面近似处于同一平面的定向的PFET；和连接到近似平面的PFET的NFET；其中衬底中NFET的定向和PFET的定向近似垂直。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
